【重要】本商品は受注生産品です。「残り○点」は完成品在庫ではなく、製作可能な部材在庫数を示しています。 # 2.4GHz帯 パワーアンプユニット 10W **2.4GHz 10W RF Power Amplifier Unit** 2.4GHz（2400MHz）帯用の高利得・高性能パワーアンプユニットです。 最大出力10W、利得10dB以上を実現し、約1Wの入力で10WのRF出力が得られます。オールモードに対応しています。 アルミミーリングケースを採用し、表面にはアロジン処理を施しています。 機器への組み込み、自作アンプ、トランスバーター、各種マイクロ波実験などにご使用いただけます。 **日本設計・日本製（Made in Japan）** ### 主な仕様 - 周波数：2400MHz帯 - インピーダンス：50Ω - 利得：10dB以上 - 最大出力：10W - 最大入力：1W - 対応モード：オールモード - 電源電圧：DC 13～15V - 消費電流：約2.5A - 推奨電源容量：4A以上 - RFコネクター：SMA-J（SMA Female） - 寸法：48（W）×73（D）×17（H）mm - 重量：約120g - ケース：アルミ・ミーリングケース（アロジン処理） - 設計：7L1WQG - 製造国：日本 ### 使用上のご注意 本製品は、機器への組み込み、自作アンプ、実験用途を目的としたパワーアンプユニットです。 キャリアコントロール機能およびRFスルー機能は搭載していません。 使用時には発熱します。必ず十分な放熱能力を持つ大型ヒートシンクに取り付けてご使用ください。放熱が不十分な場合、過熱により故障する可能性があります。 取付けにはケース底面のM2.3ネジ穴をご使用ください。 電源はケースの貫通コンデンサー端子から供給します。シャーシはマイナス（GND）となっていますので、電源のマイナス側は本体または取付ネジ部に確実に接続してください。 電源電圧はDC 13～15Vの範囲で使用し、4A以上供給可能な安定化電源をご使用ください。電源の逆接続、規定範囲外の電圧での使用は故障の原因となります。 過大なRF入力は故障の原因となります。また、RF入出力端子をオープンまたはショート状態で動作させないでください。入出力には必ず50Ωに整合された機器・負荷を接続してください。 本製品は実験・組み込み用途のアンプです。高い信頼性や安全性が要求される用途には使用しないでください。 アルミ製ケースのため、製造工程上の微細な傷がある場合があります。 製品には回路図が付属します。 仕様は予告なく変更する場合があります。 **受注生産品：納期はお問い合わせください。** ※表示される在庫数量は部材在庫です。完成品在庫ではありません。 **日本製 / Made in Japan** --- # 2.4GHz 10W RF Power Amplifier Unit High-gain, high-performance RF power amplifier unit designed for the 2.4GHz (2400MHz) band. The amplifier provides more than 10dB of gain and up to 10W RF output with approximately 1W RF input. It supports all operating modes. The amplifier is housed in a precision-machined aluminum enclosure with an Alodine conductive conversion coating. Suitable for integration into RF equipment, home-built amplifiers, transverters, and various microwave experiments. **Designed and manufactured in Japan.** ### Specifications - Frequency: 2400MHz Band - Impedance: 50Ω - Gain: 10dB or more - Maximum RF Output: 10W - Maximum RF Input: 1W - Operating Modes: All Mode - Supply Voltage: DC 13–15V - Current Consumption: Approx. 2.5A - Recommended Power Supply: 4A or more - RF Connectors: SMA Female - Dimensions: 48 (W) × 73 (D) × 17 (H) mm - Weight: Approx. 120g - Enclosure: Machined Aluminum, Alodine Finish - Designed by: 7L1WQG - Country of Manufacture: Japan ### Important Notes This product is intended for integration into RF equipment, home-built amplifiers, transverters, and experimental applications. Carrier control and RF bypass functions are not included. The amplifier generates significant heat during operation. It must be mounted on a sufficiently large heatsink. Insufficient cooling may cause overheating and permanent damage. Use the M2.3 mounting holes on the bottom of the enclosure for installation. DC power is supplied through the feed-through capacitor terminal. The aluminum chassis is connected to negative/GND. Connect the negative side of the power supply securely to the chassis or mounting point. Use a regulated DC power supply within the specified range of 13–15V and capable of supplying at least 4A. Reverse polarity or operation outside the specified voltage range may damage the amplifier. Excessive RF input may cause permanent damage. Never operate the amplifier with the RF input or output open or short-circuited. Always connect the RF input and output to properly matched 50Ω equipment or loads. This product is intended for experimental and equipment-integration applications. Do not use it in applications requiring high reliability or safety-critical operation. Minor scratches or machining marks may be present on the aluminum enclosure. A circuit diagram is included with the product. Specifications are subject to change without notice. **Made to Order — Please contact us for current lead time.** ※ The displayed stock quantity represents component availability and does not indicate finished-product inventory. **Made in Japan**